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  Sb
可用的形式
条状 / 铸锭 / 块状 / 粉末 / 晶片
应用领域

 

应用领域

99.999%锑块,锑颗粒,锑棒

1,技术对接:锑与氯气反应生产三氯化锑SbCl3 – 精馏 – 通氢还原 – 锑块 – 氧气保护下制粒;

2,物理性质:

原子量:121.760

电负性:2.05

密度:6.697 g/cm3 (25℃)

熔点:630.63 ℃

沸点:1587 ℃

3,物理性状:粉,块,锭,棒,单晶体;

4,用途:

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb,高纯合金,电子致冷元件材料以及锗,硅单晶的掺杂剂;

 

产品描述
描述
99.999%锑块,锑颗粒,锑棒
1,技术对接:锑与氯气反应生产三氯化锑SbCl3 – 精馏 – 通氢还原 – 锑块 – 氧气保护下制粒;
2,检验:ICP-MS(5N锑的总杂质含量低于10ppm);
3,服务:提供免费样品,提供MSDS及实用的防护措施,提供应用材料解决方案;
4,物理性质:
原子量:121.760
电负性:2.05
密度:6.697 g/cm3 (25℃)
熔点:630.63 ℃
沸点:1587 ℃
5,规格:
化学纯度:
高纯锑:Sb-05 纯度99.999%以上,银,砷,铋,镉,铜,铁,镁,锰,硅,镍,铅,硫,锌杂质总含量小于10ppm;
超纯锑:Sb-06 纯度99.9999%以上,银,砷,铋,镉,铜,铁,镁,锰,硅,镍,铅,锌杂质总含量小于1ppm;
超高纯锑:Sb-07 纯度99.99999%以上,银,砷,铋,镉,铜,铁,镁,锰,硅,镍,铅,锌杂质总含量小于0.1ppm。
6,物理性状:粉,块,锭,棒,单晶体;
7,用途:
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb,高纯合金,电子致冷元件材料以及锗,硅单晶的掺杂剂;
8,包装:三层真空包装或充氩气保护;
其他材料
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